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C6201C6701DSP处理器与FLASH存储器MBM29LV800BA接口技术

发布时间:2020-07-21 19:14:50 阅读: 来源:筒灯厂家

DSP是针对实时数字信号处理而设计的数字信号处理器,由于它具有计算速度快、体积小、功耗低的突出优点,非常适合应用于嵌入式实时系统。

本文引用地址:存储器是新型的可电擦除的非易失性只读存储器,属于EEPROM器件,与其它的ROM器件相比,其存储容量大、体积小、功耗低,特别是其具有在系统可编程擦写而不需要编程器擦写的特点,使它迅速成为存储程序代码和重要数据的非易失性存储器,成为嵌入式系统必不可少的重要器件。DSP与FLASH存储器的接口设计是嵌入式系统设计的一项重要技术,本文以基于三个C6201/C6701 DSP芯片开发成功的嵌入式并行图像处理实时系统为例,介绍这一设计技术。

1 C6201/C6701新一代DSP处理器1.1 C6201/C6701的特点及外部存储器接口EMIFC6201为通用32位定点DSP处理器,C6701为通用32位浮点DSP处理器,它们采用并行度很高的处理器结沟,从而具有许多突出的特点:DSP核采用改进的超长指令字(VLIW)体系结构和多流水线技术,具有8个可并行执行的功能单元,其中6个为ALU,两个为乘法器,并分成相同功能的两组,在没有指令相关情况下,最高可同时执行8条并行指令; ·具有32个32位通用寄存器,并分成两组,每组16个,大大加快了计算速度;片上集成了大容量的高速程序存储器和数据存储措,最高可以200Mbit/s的速度访问,并采用改进的多总线多存储体的哈佛结构。程序存储器为64K字节、256位宽.每个指令周期可读取8个指令字,还可灵活设置为高速CACHE使用;数据存储器采用双存储块,每个存储块又采用多个存储体,可灵活支持8/16/32位数据读写。C6701还可支持64位访问,每个时钟可访问双32位故据.C6701还可访问双64位IEEE双精度浮点数据; 片上集成了32位外部存储器接口EMIF,并且分成4个时序可编程的空间(CE0、CEl、CE2、CE3),可直接支持各种规格SDRAM(除CEl空间外)、SBSRAM、SRAM、ROM、FLASH、FIFO存储器。同时,CEl空间还可直接支持8/16位宽的异步存储器读访问,EMIF接口信号如图1所示;片上集成了4个主DMA控制器和一个辅助DMA控制器:片上集成了两个32位多功能定时器;片上集成了两个多通道通用串行通讯口;片上集成了16位宿主机HPI端口,与EMIF端口一起。可支持构成并行多处理器系统;片上集成的锁相循环PLL电路,具有4倍频外部时钟的功能,从而在外部可采用较低的时钟电路,而在片内可高频(120MHz、150MHz、167MHz、200MHz)地进行计算;片上集成了符合IEEE标准的JTAG在系统仿真接口,大大方便了硬件调试;具有一个复位中断,一个非屏蔽中断,4个边沿触发的可编程的可屏蔽中断;双电源供电,内核电源为1.8V,外围设备电源为3.3V,功耗低于1.5W;采用352BGA小型球栅阵列封装,体积很小;具有丰富的适合数字运算处理的指令集,并且所有的指令为条件转移指令。C6201/C6701高度的并行结构特点、高速的时钟频率使其具有高达1600MIPS和400MMAC的运算能力,比通常使用的DSP计算速度快十几倍,甚至几十倍,再加上其具有并行执行、多功能、多任务的能力和丰富的指令集以及体积小、功耗低、易于使用的特点,使它非常适合在嵌入式实时系统中应用;同时TI公司开发了高效的C编译器和多功能的集成开发系统CODE COMPOSER STUDIO(简称CCS)以及高性能的仿真器,大大简化程序代码的编写与调试。1.2 C620I/06701的引导工作方式在加电后,C6201/C6701可采用直接从零地址(只能为外部存储器)开始执行程序的不引导方式工作;也可采用辅助DMA先自动从宿主机HPI端口或外部CEl空间(8/16/32位ROM)加载64K字节程序至零地址(片上存站器或外部存储器),然后再从零地址开始执行程序的引导方式工作。C6201/C6701的这些工作方式由上电复位时5个引导方式管脚BOOTMODE[4:0]的信号电平决定,这些电平信号还决定地址映射方式是采用某种类型、速度的外部存储器为零地址的MAPO方式,还是采用片上程序存储器为零地址D6 MAPl方式。这种结构特点大大增加了系统设计的灵活性。在引导工作方式中,当零地址为片上程序存储器时,程序直接从高速256位宽的片上程宇存储器并行执行,能充分发挥DSP的高速性能;而其它工作方式中,程序是从外部慢速32位宽的存储器开始出行执行。因此,基于C6000的嵌入式系统一般采用引导三片上程序存储器执行的工作方式,如表1所示。2 FLASH存储器MBM29LV800BA 2.1 MBM29LV800BA介绍MBM29LV800BA是FUJITSU公司生产的1M×8/512K×l6位的FLASH存储器,其管脚信号如图2所示。/BYTE为×8或×16工作方式配置管脚(/BYTE接低时为×8方式,地址线为[A-1,A0,…A18]共20根,数据线为DQ[0:7],数据线高8位不用;/BYTE接高时为×16方式,地址线为A[0:18]共19根,A-1,不用,数据线为DQ[0:15]);RY/*BY为表示FLASH就绪或忙的管脚(它是集电极开路引脚,多个RY/*BY管脚可通过上拉电阻直接线与连接)。MBM29LV800BA具有许多特点,主要如下单电源3.0V读、编程写入、擦除;与JEDEC标准的命令集和引脚分布兼容;增加了快速编程写人命令,写入仅需两个总线周期;具有至少100 000次的编程写入/擦写寿命;灵活的扇区结构支持整片内容擦除、任一扇区内容擦除、相连续的多扇区内容并行擦除;具有嵌入式编程写入算法,可自动写入和验证写入地址的数据;具有嵌入式擦除算法,可自动预编程和擦除整个芯片或任一扇区的内容;具有数据查寻位和切换位,可以通过软件查寻方法检测编程写入/擦除操作的状态;具有RY/*BY管脚,可以通过硬件方法检测编程写入/擦除操作的状态;自动休眠功能,当地址保持稳定时,自动转入低功耗模式;具有低电压禁止写入功能;具有擦除暂停/擦除恢复功能,2.2 MBM29LV800BA的主要命令及嵌入式算法MBM29LV800BA的编程写入及擦除命令如表2所示。其中,X为十六进制数字的任意值,RA为被读数据的FLASH地址,RD为从FLASH地址RA读出的数据,PA为写编程命令字的FLASH地址,PD为编程命令宇,SA为被擦除内容的扇区地址。 MBM29LV800BA具有嵌入式编程写入和擦除算法机构,当向FLASH写入数据内容或擦除其扇区内容时,需要根据相应的算法编程才能完成。其编程擦除算法流程为:首先写编程擦除命令序列;然后运行数据测试算法以确定擦除操作完成;其编程写入算法流程为:程序开始,首先验证写入扇区是否为空,不空则运行擦除算法;然后运行编程写入算法,写编程写入命令序列,再运行数据测试算法或查询RY/*BY管脚信号以确定该次操作完成。地址增1继续上述过程,否则结束操作;数据测试算法主要是测试DQ7和DQ5位的数据变化,以确定泫次操作是进行中、完成、还是失败。

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